通富微电项目喜获国家科技进步一等奖

来源：招商中心 发布时间：2021-11-04 字体：[ 大 中 小 ]

11月3日，在北京人民大会堂举行的2020年度国家科学技术奖励大会上，通富微电作为主要完成单位、总裁石磊作为主要完成人的“高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺”项目，喜获国家科技进步一等奖。

国家科学技术进步奖是国务院设立的国家科学技术奖5大奖项之一。此次通富微电园区项目获奖对于企业发展具有里程碑式的意义，代表着通富微电无论从规模上，还是技术实力上，都上升到一个前所未有的高度，也标志着苏锡通园区近年来对科技型企业培大扶强政策取得了重大成效。

作为行业领军企业，通富微电始终以振兴民族集成电路产业为己任，专注主业、永葆初心、扛起大旗。2014年便秉持高度的前瞻性，将旗舰工厂落户于苏锡通园区，致力于集成电路封装技术研发。

此次获奖项目内容之一是针对高密度芯片封装工艺中焊点易桥连和界面易损伤难题，提出倒装铜柱凸点高密度键合技术，发明原位微米级栅线投影翘曲测试方法，研制基材与布线密度匹配、磁性载具与回流曲线优化的低应力倒装焊接工艺，也是目前国际唯一突破7纳米9芯片64核CPU芯片封装核心技术，产品成品率达99.8%。项目来源于通富微电承担的2017年国家02专项——CPU封装及测试技术开发。此项目成功解决了电子封装行业知识产权“空心化”和“卡脖子”难题，占领了行业技术制高点，实现了高密度高可靠电子封装从无到有、由传统封装向先进封装的转变，具备国际竞争能力。同时，带动封装成套装备、材料和工艺创新发展，经济和社会效益明显。

作为该获奖项目的第二完成人，通富微电总裁石磊自2012年起参与该项目开发，带领通富微电与华中科技大学和武汉大学等国内重点高校、国内主要晶圆制造商共同合作研发，经“产学研用”校-所-企联合攻关，突破了高密度高可靠电子封装技术瓶颈。在晶圆级封装技术、国产CPU/GPU及国产存储器封装测试技术方面进行攻关并取得重大突破，为国家打造自主可控的集成电路产业链做出了杰出贡献。

目前，经多个专项项目实施的技术积累，通富微电已在苏锡通园区工厂建成了国内首条12英寸28纳米先进封装测试全制程生产线，实现批量生产，并实现7纳米CPU封装技术的突破，填补国内空白，达到世界一流技术水平。

相信在园区和企业的共同努力下，未来通富微电必将在集成电路产业领域取得更大的成绩，为国家和民族做出更大的贡献。